\documentclass[utf8]{ctexart}
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\title{第五次作业}
\author{左熙辰-2000012103}

\begin{document}
	\maketitle
	\section{简单叙述pMOS晶体管的开关原理}
	答：在栅极施加正向电压时，会在p衬底的表面积累电子，当电压达到阈值时，表面电子浓度迅速增大，使得形成等效于n型半导体的反型层，此时若在S、D之间施予恰当的电压，就可使pMOS导电。
	\section{若是增加衬底杂质的浓度，那么MOSFET的阈值电压将会怎样变化？}
	答：会导致阈值电压升高
\end{document}